化學拋光是一種將金相樣品浸入調配的化學拋光液中，借化學藥劑的溶解作用而得到的拋光表面的拋光方法?；瘜W拋光是常見的金相樣品拋光方法之一，這種方法操作簡便，不需任何儀器設備，只需要選擇適當?shù)幕瘜W拋光液和掌握的拋光規(guī)范，就能快速得到較理想的光潔而無變形層的表面。

拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。 拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。

CMP技術綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是能夠實現(xiàn)全局平面化的有效方法。

拋光液作為金屬加工液檢測種類的重要一員，對金屬表面的打磨處理，滿足平坦化需求起著關鍵性的作用。拋光液適用于鉛錫合金， 銅， 鋅合金， 不銹鋼， 鋁合金， 鐵等金屬零部件的拋光， 光亮度可達 12 級， 可取代多種進口拋光劑和拋光粉。