粉末冶金法：通過將銦粉末在高溫下壓制和燒結成型，可有效控制雜質(zhì)含量，能制造出形狀復雜的靶材，制得的靶材具有較高的致密度和均勻性。
熔煉法：將銦材料加熱至熔點以上，使其成為液態(tài)，然后通過鑄?；蚱渌尚凸に囍圃彀胁?，該方法簡單快捷，但控制純度和均勻性相對較難。
先進封裝技術
應用：在芯片倒裝焊（Flip Chip）中作為焊料或熱界面材料，實現(xiàn)芯片與基板的電氣連接和熱傳導。
特點：低熔點（156.6℃）和高可靠性，適用于精密電子器件的低溫封裝。
濺射時間與沉積厚度
厚度監(jiān)控：使用石英晶體微天平（QCM）實時監(jiān)測薄膜沉積速率，結合靶材消耗速率（約 0.1~0.5 μm/min，與功率相關），控制濺射時間。
靶材利用率：避免過度濺射導致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 時需及時更換），通常平面靶材利用率約 30%~40%，旋轉靶可提升至 60% 以上。
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