ITO靶材,全稱氧化銦錫靶材,是一種專門用于磁控濺射鍍膜的材料。氧化銦錫(簡稱ITO)是一種n型半導(dǎo)體材料,通常由90%的氧化銦(In?O?)和10%的氧化錫(SnO?)組成。這種材料以其的透明度和導(dǎo)電性,成為現(xiàn)代電子工業(yè)中不可或缺的組成部分。無論是智能手機(jī)的觸摸屏、平板電腦的顯示面板,還是太陽能電池的透明電極,ITO靶材都以其獨(dú)特的功能支撐著這些設(shè)備的運(yùn)行。
從化學(xué)角度看,ITO是一種復(fù)合氧化物,其性能很大程度上取決于氧化銦和氧化錫的比例。氧化銦提供高透明度,而氧化錫的摻雜則增強(qiáng)了材料的導(dǎo)電性。通過控制這兩者的配比,ITO能夠在保持光學(xué)透明的同時,具備接近金屬的導(dǎo)電能力。這種“透明卻導(dǎo)電”的特性,使得ITO成為制造透明導(dǎo)電膜的理想選擇。
銦回收面臨的主要挑戰(zhàn)包括銦在電子設(shè)備中的低濃度和與其他金屬的合金化。傳統(tǒng)的回收方法難以有效提取,需要采用濕法冶金或火法冶金等先進(jìn)技術(shù)。同時,回收過程中需確保電子廢物流的分類和處理,以減少污染物對回收過程的影響。
閉環(huán)之困:損耗與機(jī)遇并存
ITO靶材在濺射鍍膜過程中利用率通常僅30%左右,大量含銦廢料(廢舊靶材、邊角料、鍍膜腔室廢料)隨之產(chǎn)生。過去,這些價值的廢料往往被簡單處理或堆積。建立從“廢靶材→再生銦→新靶材”的閉環(huán)體系,成為破解資源約束的黃金路徑。